Cela fait maintenant depuis décembre 2014 que Samsung a annoncé la production de la puce LPDDR4 8Gb gravée en 20 nm.
Et maintenant, ils annoncent la puce LPDDR5 8Gb gravée en 10 nm !
Néanmoins,  rappelons que lorsque la norme de gravure 10 nm est invoquée, elle se réfère à un gravage sur un intervalle de 10 et 19 nm.

Cette mémoire s’intégrera parfaitement dans les appareils équipés 5G et aux intelligences artificielles. 

Cette puce devrait apporter 1,5 fois plus de débit comparé à la LPDDR4X passant de 4266 Mb/s par pin à 6400 Mb/s par pin !

Cette puce fonctionnerait à 1,1V mais Samsung a également prévue une puce plus légère qui fonctionnerait à 1,05V et qui fournirait 5500 Mb/s de débit.

Autre bonne nouvelle, la LPDDR5 serait capable de contenir sa consommation à environ 30% de ses réels besoins : elle serait équipée d’un deep sleep mode qui nécessiterait la moitié de l’énergie demandée par la LPDDR4X quand elle est en idle. Enfin, cette puce serait intelligente, à la manière de certains processeurs qui baissent leur voltage automatiquement en fonction de la tâche ordonnée.

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