Je fabrique des trucs et parfois ça marche.

L’entreprise Samsung Electronics vient d’annoncer aujourd’hui sa nouvelle génération de mémoire à grande bande passante lors de la conférence NVIDIA GTC 2019, nommée HBM2E.

Visant à atteindre les meilleures performances de DRAM possibles, l’HBM2E offrira un débit de 3,2 gigabits par seconde (Gbps) par puce, soit une amélioration de 33% par rapport à la précédente génération d’HBM2. À cela se rajoute une capacité doublée afin d’atteindre 16Go par die, permettant alors un débit théorique de 410 gigabits par seconde (Gbps).

Lors de la conférence, le vice président de la branche mémoire de Samsung Jinman Han s’est exprimé sur cette avancée en déclarant : « Flashbolt’s industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications. We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our ‘high-performance, high capacity, and low power’ memory segment to meet market demand. »

L’entreprise semble donc confiante et souhaite proposer une mémoire à haute performance, haute capacité tout en gardant une faible consommation en vu de l’étendre à plusieurs secteurs professionnels, notamment les data center, machine de deep learning ainsi qu’à des applications graphiques.

Samsung-HBM2E

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