Samsung V-NAND : Maintenant 96 couches !

Samsung viens d’annoncer le lancement de la production de sa cinquième génération de mémoire V-NAND qui, dorénavant, passe à 96 couches et nous promet de jolis débits 40% plus importants que la génération actuelle en 64 couches.

Le groupe Sud-Coréen promet que cette nouvelle génération sera sans impact sur la consommation : 

Cette toute dernière génération V-NAND à 96 couches, soit la plus élevée du secteur,  donnerait le même rendement énergétique que la génération actuelle dotée de  64 couches et pour cause;  une tension réduite de 1,8 Volt à 1,2 Volt. En plus, la vitesse d’écriture atteint 500 microsecondes ( environ 30 % plus rapide) tandis que son temps de réponse en lecture a été réduit à 50 microsecondes.

Samsung tient aussi à faire part des améliorations du procédé de fabrication de la V-NAND, empilées dans une structure pyramidale dotée de trous microscopiques percés verticalement. Ces derniers ne mesurant que quelques centaines de nanomètres de large contiennent plus de 85 milliards de cellules CTF ( Charge Trap Flash ) pouvant stocker trois bits de données chacune. La fabrication de cette mémoire est donc le résultat de plusieurs avancées dans la conception de circuit ainsi que de nouvelles technologies de gravures.

Samsung lancera prochainement la production de V-NAND de 5e génération pour répondre aux besoins du marché, dans de nombreux secteurs comme les supercalculateurs, les serveurs d’entreprises ainsi que les smartphones haute de gamme, qui sont particulièrement demandeurs de cette technologie.

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