Passionné de Hardware et de Micro électronique.
Fondateur de l'association Hardwakening.fr, rédacteur et testeur.

Puisse le Hardware pleuvoir sur vous ...

Le constructeur Samsung annonce sa V-NAND de nouvelle génération. On parle d’une plus forte densité et donc quelques nouvelles spécificités techniques. La capacité des SSD Samsung va donc encore augmenter, de quoi couvrir la très forte demande.

Si l’on se focalise sur l’aspect technique, on peut dire que cette nouvelle mémoire devrait passer en 136 couches en TLC. On parle d’une augmentation significative de l’espace de stockage, avec des performances en hausse de 10%. Tout ceci sera possible en réduisant la consommation de 15%. Cela fait donc une belle avancée. La marque a réussi un exploit avec sa technologie CTF

En utilisant une technologie unique pour faire des "holes etch", sortes de trous verticaux permettant de stabiliser la structure de la 3D V-NAND lorsque l'on atteint un grand nombre de couches, la nouvelle V-NAND ajoute près de 40% de cellules supplémentaires à ce qui était auparavant une structure composée de blocs de 9 couches. Cela est rendu possible grâce à une méthode de moulages conducteurs par stack (mold stacking) eux mêmes composés de 136 couches, avant de percer les trous cylindrique verticalement, du haut vers le bas, créant, ce faisant, des cellules CTF 3D uniformes.

La marque, avec cette nouvelle technologie, prévoit de couvrir le secteur des périphériques mobiles, des serveurs d’entreprises, mais aussi celui de l’automobile. Samsung insiste sur le fait que sa mémoire est extrêmement fiable et ne rencontre pas d’erreurs. Cela conviendra donc à des secteurs exigeants. En ayant amélioré de 20% la production grâce à cette V-NAND et en investissant encore plus sur ses usines en Corée, la firme compte bien répondre à la demande mondiale de puces.  

vnand samsung

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